P140nf55 — это мощный низкочастотный MOSFET-транзистор, который может быть использован в различных электронных устройствах. Он относится к типу N-канал, имеет обратное напряжение 55 вольт, сопротивление канала всего 140 мкОм и ток дрейна до 330 ампер. Эти впечатляющие характеристики делают транзистор P140nf55 идеальным выбором для многих приложений, требующих высокой мощности и низкого сопротивления.
Кроме того, P140nf55 обладает низкими значениями входной и выходной емкости, что делает его эффективным в управлении большими токами и сочетании включаемых и выключаемых моментов. Также, благодаря использованию современных технологий, P140nf55 обеспечивает низкое потребление энергии и высокую эффективность.
Обратное напряжение канала — это важная характеристика P140nf55, определяющая его способность выдерживать высокое напряжение без повреждений или сбоев работы. Благодаря значению 55 вольт, этот транзистор может быть использован в широком спектре приложений, где требуется высокое напряжение.
Сопротивление канала — это еще одна важная характеристика P140nf55. Его низкое значение в 140 мкОм означает, что ток легко проходит через канал транзистора без значительных потерь и нагрева. Это делает P140nf55 идеальным для использования в высокомощных приложениях, где необходимо минимизировать потери и улучшить общую эффективность устройства.
Характеристики P140nf55 транзистора на русском языке
Описание:
Транзистор P140nf55 является мощным полевым транзистором с низким сопротивлением и высокой надежностью. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах, таких как усилители мощности, источники питания и другие аппаратные средства.
Параметры:
1. Напряжение сток-исток (VDS): 55 В
2. Ток сток-исток (ID): 140 А
3. Напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
4. Ток затвор-исток (IG): ±30 мА
5. Мощность потерь (Pd): 285 Вт
6. Тепловое сопротивление корпуса-окружающая среда (RthJA): 0.53 °C/Вт
7. Сопротивление сток-исток (RDS(on)): 0.014 Ом
8. Статический коэффициент усиления (hFE): не менее 100
Пожалуйста, обратите внимание, что указанные характеристики могут варьироваться в зависимости от производителя и условий эксплуатации.
Описание транзистора P140nf55
Транзистор P140nf55 представляет собой мощный N-канальный MOSFET, который может быть использован в широком спектре приложений, требующих высокой эффективности и надежности. Транзистор P140nf55 имеет одну из самых низких сопротивлений проводимости среди аналогичных устройств.
Основные параметры P140nf55:
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение стока-истока (Vdss): 55 В
- Максимальный ток стока (Id): 140 А
- Сопротивление проводимости (Rds(on)): 8 мОм
- Максимальная температура перегрева (Tjmax): 175 °C
Транзистор P140nf55 обладает высокой коммутационной способностью и низкой внутренней емкостью, что позволяет его использовать в силовых инверторах, источниках питания, электромобилях и других приложениях требующих высокой электроэнергетической эффективности.
Благодаря своим характеристикам, транзистор P140nf55 является идеальным выбором для проектов, где необходимо управление высокими токами и напряжениями при минимальных потерях мощности.
Параметры транзистора P140nf55
- Тип — N-канальный
- Максимальное напряжение стока-истока (VDS) — 55 В
- Максимальный ток стока-истока (ID) — 140 А
- Максимальная температура перегрева — 150°C
- Сопротивление стока-истока при нулевом напряжении затвора (RDS(on)) — 0.019 Ом
- Входной емкостной сдвиг затвора (Ciss) — 14000 пФ
- Выходная емкость затвора (Coss) — 1900 пФ
- Емкость дрейна (Crss) — 670 пФ
Транзистор P140nf55 широко применяется в электронных устройствах, требующих высокую частоту переключения и эффективное управление энергией. Он обеспечивает надежную работу при высоких температурах и обладает низким входным сопротивлением.