Транзистор К50Н603 – это полевой транзистор p-n-p-n типа с полосками алюминиевого контакта. Он предназначен для работы в режиме переключения и усиления электрических сигналов в различных электронных устройствах. Транзистор К50Н603 имеет металлический корпус и в основном используется в устройствах для усилительных схем, стабилизаторах напряжения, частотных преобразователях и других аналогичных устройствах.
Цоколевка транзистора К50Н603 включает 3 вывода: 1 – база, 2 – коллектор и 3 – эмиттер. Значения основных параметров данного транзистора варьируются в широких пределах. Например, коэффициент передачи тока hFE лежит в интервале от 50 до 320, а максимальное рабочее напряжение VCEO составляет 600 В.
Транзистор К50Н603 обладает следующими основными характеристиками: максимальная рабочая частота, ток коллектора, максимальная потребляемая мощность, максимальная рабочая температура окружающей среды, переходной проводимости и другие параметры, которые определяют эффективность и надежность работы данного устройства. Благодаря своим характеристикам, транзистор К50Н603 является важным элементом во многих современных электронных приборах и системах.
Описание транзистора К50Н603
Транзистор К50Н603 представляет собой высоковольтный биполярный NPN транзистор с общим эмиттером.
- Цоколевка: TO-3P
- Максимальное рабочее напряжение коллектора: 600 В
- Максимальный коллекторный ток: 5 А
- Максимальная мощность: 75 Вт
- Максимальная рабочая частота переключения: 150 МГц
- Тип корпуса: металл
Транзистор К50Н603 применяется во многих электронных устройствах, требующих усиления и коммутации высокочастотных сигналов при высоких рабочих напряжениях.
Цоколевка транзистора К50Н603
Транзистор К50Н603 имеет симметричную цоколевку. Основные выводы транзистора пронумерованы от 1 до 6.
Ниже приведена таблица с обозначениями и описанием каждого вывода:
| Вывод | Обозначение | Описание |
|---|---|---|
| 1 | Э | Эмиттер |
| 2 | Б | База |
| 3 | К | Коллектор |
| 4 | Э | Эмиттер |
| 5 | Б | База |
| 6 | К | Коллектор |
Цоколевка транзистора К50Н603 позволяет подключать его в различные схемы и обеспечивает надежное соединение выводов.
Параметры транзистора К50Н603
Транзистор К50Н603 представляет собой мощный биполярный кремниевый транзистор, который широко используется в различных электронных устройствах.
Основные параметры транзистора К50Н603:
- Тип междуэлектродной изоляции: p-n-p
- Максимальное постоянное обратное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэмакс): 120 В
- Ток коллектора (Iк): 20 А
- Максимальная мощность, рассеиваемая на транзисторе (Pрассмакс): 150 Вт
- Коэффициент усиления по току (h21): не менее 40
- Коэффициент усиления по напряжению (hfe): не менее 10
Транзистор К50Н603 обладает высокой надежностью и стабильной работой в различных режимах. Он может использоваться для создания усилителей мощности, импульсных источников тока, а также в других устройствах, требующих усиления и переключения сигналов.
Основные характеристики транзистора К50Н603
- Допустимое постоянное обратное напряжение VB = 80 В
- Допустимый максимальный постоянный ток коллектора IC = 7 А
- Допустимая максимальная мощность потерь Ptot = 100 Вт
- Коэффициент усиления тока hFE = 40-320
- Переходная частота ft = 25 МГц
- Сопротивление рассеивания коллектора Rth = 1,1 °C/Вт
Транзистор К50Н603 широко используется в схемах усилителей, импульсных источников питания, переключателей и других устройствах, где требуется усиление и коммутация электрических сигналов.