Транзистор IRF640 — мощный полевой эффектный транзистор, который широко применяется в электронике и электротехнике. Он относится к типу P-каналовых транзисторов и позволяет управлять большими токами и напряжениями основываясь на изменении электрического поля в канале.
IRF640 имеет множество полезных характеристик, которые делают его привлекательным для различных приложений. Его основные параметры включают в себя номинальное напряжение питания, дрейн-ток, сопротивление канала и максимальную рабочую температуру.
Номинальное напряжение питания указывает на максимальное напряжение, при котором транзистор может надежно работать. Для IRF640 это значение составляет 200 Вольт.
Дрейн-ток определяет максимальный ток, который может протекать через дрейн транзистора. В случае IRF640 он составляет 18 Ампер.
Сопротивление канала показывает, насколько «открытый» канал транзистора для протекания тока. IRF640 имеет сопротивление канала в диапазоне от 0.2 до 0.4 Ом, что позволяет снизить потери мощности во время работы.
Максимальная рабочая температура определяет диапазон рабочих температур, при которых транзистор может надежно функционировать без перегрева. Для IRF640 это значение составляет 175 градусов Цельсия.
Таким образом, транзистор IRF640 сочетает в себе высокую мощность, надежность и стабильность в широком диапазоне рабочих условий. Эти основные параметры делают его привлекательным для использования в различных электронных схемах и устройствах.
Общее описание транзистора IRF640
Основные параметры и характеристики транзистора IRF640 включают в себя:
- Напряжение стока-истока (Vds): 200 В;
- Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В;
- Ток стока-истока (Id): 18 А;
- Мощность потерь (Pd): 150 Вт;
- Сопротивление стока-истока (Rds(on)): 0,18 Ом;
- Емкость затвор-исток (Ciss): 1500 пФ;
- Время переключения (t(on) / t(off)): 35 нс;
- Температурный диапазон: от -55°C до +175°C.
Транзистор IRF640 широко используется во множестве схем и приложений, таких как импульсные источники питания, стабилизаторы напряжения, инверторы и другие электронные устройства, где требуется усиление и коммутация высоких мощностей.
Основные параметры транзистора IRF640
- Тип: N-канальный
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 200 вольт
- Максимальное напряжение сток-исток (Vgs): ±20 вольт
- Максимальный ток стока (Id): 18 ампер
- Максимальная мощность (Pd): 125 ватт
- Температурный диапазон: -55 до +175 градусов Цельсия
Транзистор IRF640 широко используется в различных устройствах, таких как блоки питания, импульсные преобразователи, усилители и другие электронные устройства, требующие высокой мощности и коммутационной способности.
Технические характеристики транзистора IRF640
Максимальное напряжение стока-истока (VDS): 200В
Максимальный ток стока (ID): 18А
Максимальная мощность (PD): 125Вт
Сопротивление канала-исток (RDS(on)): 0.18Ом
Температурный диапазон: от -55°C до +175°C
Тип корпуса: TO-220AB
Транзистор IRF640 также характеризуется низким уровнем шума и быстрым временем переключения. Он имеет высокую надежность и долговечность при правильном использовании.
Электрические параметры транзистора IRF640
Тип транзистора: N-канальный MOSFET
Максимальное напряжение стока-истока (VDS): 200 В
Максимальный ток стока (ID): 18 А
Максимальная мощность (PD): 150 Вт
Напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
Сопротивление открытого канала (RDS(ON)): 0.18 Ом
Температурный коэффициент сопротивления (αRDS): 0.023%/°C
Максимальная рабочая температура (TJ): 175 °C
Время переключения затвора (tr, tf): 16 нс
Примечание: Перечисленные параметры являются типичными для данного транзистора и могут незначительно варьироваться в реальных условиях использования.
Максимальные значения параметров транзистора IRF640
Вот максимальные значения параметров транзистора IRF640:
- Максимальное напряжение стока-исток (Vds): 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В
- Максимальный ток стока-исток (Id): 18 А
- Максимальная мощность при комнатной температуре (Pd): 150 Вт
- Максимальная температура стока (Tj): 175 °C
- Максимальная температура хранения (Tstg): -55 до 175 °C
Эти значения являются критическими особенностями, которые должны быть учтены при проектировании и эксплуатации схем с использованием транзистора IRF640. Превышение любого из этих максимальных значений может привести к неправильному функционированию транзистора или его поломке.
Тепловые характеристики транзистора IRF640
Транзистор IRF640 обладает некоторыми важными характеристиками, связанными с тепловыми процессами, которые происходят внутри него при работе. Важно учитывать эти характеристики при проектировании схемы и выборе условий эксплуатации.
Главной характеристикой является тепловое сопротивление (Rth), которое показывает, как быстро транзистор способен отводить тепло от рабочей области к окружающей среде. Чем меньше значение теплового сопротивления, тем эффективнее будет охлаждение транзистора и меньше вероятность его перегрева. Для транзистора IRF640 typ значение теплового сопротивления составляет примерно 1.3°C/W.
Кроме теплового сопротивления, также важно учитывать максимально допустимую температуру перехода (Tj), которую может выдержать транзистор без повреждений. Для транзистора IRF640 typ данная характеристика составляет 175°C.
Основываясь на тепловом сопротивлении и максимально допустимой температуре, можно определить допустимую мощность, которую транзистор способен выдержать без перегрева. Для этого используется формула P = (Tj — Ta) / Rth, где P — допустимая мощность, Tj — максимально допустимая температура перехода, Ta — температура окружающей среды. Важно учитывать, что при повышении температуры окружающей среды допустимая мощность транзистора снижается. Например, если температура окружающей среды равна 25°C, то при Rth = 1.3°C/W допустимая мощность составит примерно 107.7 Вт.