Транзистор КП103М является одним из наиболее распространенных и используемых полупроводниковых устройств в электронике. Он относится к типу p-n-p транзисторов и обладает высокими техническими характеристиками.
Основные характеристики КП103М включают максимально допустимые токи коллектора, активный рабочий режим, максимальное напряжение коллектор-эмиттер, а также коэффициент усиления тока и мощность диссипации.
Интересной особенностью транзистора КП103М является его высокое сопротивление обратного тока, что позволяет использовать его в различных электрических схемах и устройствах. Компонент имеет низкую величину шумов и достаточно широкий диапазон температур работы.
КП103М применяется в различных устройствах и системах, включая аудиоусилители, радиоприемники, блоки питания, интерфейсы и т. д. Большое количество производителей предлагает данный транзистор в корпусах различных типов и размеров, что позволяет подобрать его под конкретные потребности проекта.
Таким образом, транзистор КП103М является надежным и универсальным элементом среди других компонентов полупроводниковой электроники, обладающим хорошими техническими характеристиками и широким спектром применения.
Ту к компоненту транзистор кп103м
Основные характеристики транзистора кп103м:
- Максимальное напряжение стока истока Uds: 40 В
- Максимальный ток стока Id: 2 А
- Максимальная мощность Pd: 10 Вт
- Напряжение порога Ugs(th): 1.5 В — 3.5 В
- Ток стока в отсечке Idss: не менее 5 мА
Транзистор кп103м широко применяется в усилительных схемах, источниках питания, а также в различных устройствах управления и коммутации. Он обладает низким входным сопротивлением, малой емкостью и хорошими динамическими характеристиками.
Особенности транзистора кп103м:
- Компактный размер и удобная установка
- Высокая надежность и долговечность
- Широкий рабочий температурный диапазон
- Низкое собственное потребление энергии
Ту к компоненту транзистор кп103м указывает его основные характеристики, применение и особенности, что позволяет инженерам и разработчикам правильно выбирать и использовать данный транзистор в своих проектах.
Основные характеристики транзистора кп103м
Главные характеристики транзистора кп103м:
- Максимальное допустимое значение обратного напряжения коллектор-эмиттер (UCEO) — 30 В;
- Максимальное значение теплового сопротивления от кристалла до окружающей среды (Rth(j-a)) — 150 °C/W;
- Максимальное значение теплового сопротивления от кристалла до корпуса (Rth(j-c)) — 40 °C/W;
- Максимальное значение прямого тока коллектора (IC) — 200 мА;
- Максимальное значение обратного тока эмиттера (IEBO) — 10 мкА;
- Максимальная рабочая частота (fT) — 350 МГц;
- Максимальное значение усиления по току в активном режиме (hFE) — 35;
- Максимальное значение усиления по току в режиме насыщения (hFE(sat)) — 10;
- Максимальное значение напряжения открытого перехода эмиттер-коллектор (UEB) — 7 В;
- Максимальное значение обратного тока коллектора (ICBO) — 10 мкА;
Транзистор кп103м широко применяется в схемах электронных устройств, требующих низкой частоты переключения и низкого уровня шума, например, в усилителях звука, устройствах блокировки сигнала, питающих источниках и других аналогичных устройствах.
Особенностью транзистора кп103м является его низкое значение обратного тока эмиттера (IEBO), что обеспечивает низкий уровень потерь и энергопотребления устройства.
Применение транзистора кп103м
- Радиоэлектроника: трансформаторы, усилители, генераторы
- Коммуникационные системы: радиостанции, мобильные телефоны, Wi-Fi модули
- Индустриальная автоматика: системы управления и контроля, преобразователи частоты
- Энергетические системы: инверторы, солнечные батареи, источники бесперебойного питания
- Светотехника: светодиодные лампы, световые индикаторы
Транзистор КП103М обладает низким уровнем шума, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам. Он имеет небольшие габариты и может работать в широком диапазоне температур, что делает его универсальным прибором для различных задач. Благодаря своим характеристикам и простоте в использовании, транзистор КП103М является популярным компонентом в электронике.